Capacidad
1 TB
Factor de forma
M.2 2280
Interfaz
PCIe Gen3 x4
Memoria flash
NAND 3D
Controlador
RTS5766DL
Tipo de usuario
Creador
Rendimiento
Lectura secuencial: hasta 2.400 MB/s
Escritura secuencial: hasta 1.800 MB/s
Lectura aleatoria 4K: hasta 200.000 IOPS
Escritura aleatoria 4K: hasta 150.000 IOPS
TBW (Resistencia)
Hasta 520 TB
MTBF
1.500.000 horas
Temperatura de funcionamiento
0 °C a 70 °C
Temperatura de almacenamiento
-40 °C a 85 °C
Resistencia a golpes
1500G / 0,5 ms
Dimensiones
Con disipador: 80 × 22 × 3,13 mm
Sin disipador: 80 × 22 × 2,15 mm
Peso
Con disipador: 9 g
Sin disipador: 6,2 g
Garantía
3 años